NDD60N550U1-35G
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
Artikelnummer
NDD60N550U1-35G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40969 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NDD60N550U1-35G
NDD60N550U1-35G Elektroniska komponenter
NDD60N550U1-35G Försäljning
NDD60N550U1-35G Leverantör
NDD60N550U1-35G Distributör
NDD60N550U1-35G Datatabell
NDD60N550U1-35G Foton
NDD60N550U1-35G Pris
NDD60N550U1-35G Erbjudande
NDD60N550U1-35G Lägsta pris
NDD60N550U1-35G Sök
NDD60N550U1-35G Köp av
NDD60N550U1-35G Chip