Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQT7N10TF

FQT7N10TF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Artikelnummer
FQT7N10TF
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223-4
Effektförlust (max)
2W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29480 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQT7N10TF
FQT7N10TF Elektroniska komponenter
FQT7N10TF Försäljning
FQT7N10TF Leverantör
FQT7N10TF Distributör
FQT7N10TF Datatabell
FQT7N10TF Foton
FQT7N10TF Pris
FQT7N10TF Erbjudande
FQT7N10TF Lägsta pris
FQT7N10TF Sök
FQT7N10TF Köp av
FQT7N10TF Chip