Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Artikelnummer
FQT7N10LTF
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223-4
Effektförlust (max)
2W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42545 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQT7N10LTF
FQT7N10LTF Elektroniska komponenter
FQT7N10LTF Försäljning
FQT7N10LTF Leverantör
FQT7N10LTF Distributör
FQT7N10LTF Datatabell
FQT7N10LTF Foton
FQT7N10LTF Pris
FQT7N10LTF Erbjudande
FQT7N10LTF Lägsta pris
FQT7N10LTF Sök
FQT7N10LTF Köp av
FQT7N10LTF Chip