Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Artikelnummer
FQN1N60CTA
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Leverantörsenhetspaket
TO-92-3
Effektförlust (max)
1W (Ta), 3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30223 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQN1N60CTA
FQN1N60CTA Elektroniska komponenter
FQN1N60CTA Försäljning
FQN1N60CTA Leverantör
FQN1N60CTA Distributör
FQN1N60CTA Datatabell
FQN1N60CTA Foton
FQN1N60CTA Pris
FQN1N60CTA Erbjudande
FQN1N60CTA Lägsta pris
FQN1N60CTA Sök
FQN1N60CTA Köp av
FQN1N60CTA Chip