Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Artikelnummer
FQN1N50CTA
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Box (TB)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Leverantörsenhetspaket
TO-92-3
Effektförlust (max)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
380mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51976 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQN1N50CTA
FQN1N50CTA Elektroniska komponenter
FQN1N50CTA Försäljning
FQN1N50CTA Leverantör
FQN1N50CTA Distributör
FQN1N50CTA Datatabell
FQN1N50CTA Foton
FQN1N50CTA Pris
FQN1N50CTA Erbjudande
FQN1N50CTA Lägsta pris
FQN1N50CTA Sök
FQN1N50CTA Köp av
FQN1N50CTA Chip