FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Artikelnummer
FQB9P25TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26109 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB9P25TM
FQB9P25TM Elektroniska komponenter
FQB9P25TM Försäljning
FQB9P25TM Leverantör
FQB9P25TM Distributör
FQB9P25TM Datatabell
FQB9P25TM Foton
FQB9P25TM Pris
FQB9P25TM Erbjudande
FQB9P25TM Lägsta pris
FQB9P25TM Sök
FQB9P25TM Köp av
FQB9P25TM Chip