FQB9N25CTM
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Artikelnummer
FQB9N25CTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30056 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB9N25CTM
FQB9N25CTM Elektroniska komponenter
FQB9N25CTM Försäljning
FQB9N25CTM Leverantör
FQB9N25CTM Distributör
FQB9N25CTM Datatabell
FQB9N25CTM Foton
FQB9N25CTM Pris
FQB9N25CTM Erbjudande
FQB9N25CTM Lägsta pris
FQB9N25CTM Sök
FQB9N25CTM Köp av
FQB9N25CTM Chip