FQB9N15TM
MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK
Artikelnummer
FQB9N15TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9701 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB9N15TM
FQB9N15TM Elektroniska komponenter
FQB9N15TM Försäljning
FQB9N15TM Leverantör
FQB9N15TM Distributör
FQB9N15TM Datatabell
FQB9N15TM Foton
FQB9N15TM Pris
FQB9N15TM Erbjudande
FQB9N15TM Lägsta pris
FQB9N15TM Sök
FQB9N15TM Köp av
FQB9N15TM Chip