Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQB55N06TM

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Artikelnummer
FQB55N06TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 133W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20548 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQB55N06TM
FQB55N06TM Elektroniska komponenter
FQB55N06TM Försäljning
FQB55N06TM Leverantör
FQB55N06TM Distributör
FQB55N06TM Datatabell
FQB55N06TM Foton
FQB55N06TM Pris
FQB55N06TM Erbjudande
FQB55N06TM Lägsta pris
FQB55N06TM Sök
FQB55N06TM Köp av
FQB55N06TM Chip