Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQB50N06LTM

FQB50N06LTM

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Artikelnummer
FQB50N06LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9837 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQB50N06LTM
FQB50N06LTM Elektroniska komponenter
FQB50N06LTM Försäljning
FQB50N06LTM Leverantör
FQB50N06LTM Distributör
FQB50N06LTM Datatabell
FQB50N06LTM Foton
FQB50N06LTM Pris
FQB50N06LTM Erbjudande
FQB50N06LTM Lägsta pris
FQB50N06LTM Sök
FQB50N06LTM Köp av
FQB50N06LTM Chip