FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Artikelnummer
FDG312P
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6
Effektförlust (max)
750mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16437 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDG312P
FDG312P Elektroniska komponenter
FDG312P Försäljning
FDG312P Leverantör
FDG312P Distributör
FDG312P Datatabell
FDG312P Foton
FDG312P Pris
FDG312P Erbjudande
FDG312P Lägsta pris
FDG312P Sök
FDG312P Köp av
FDG312P Chip