FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Artikelnummer
FDG311N
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6
Effektförlust (max)
750mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25446 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDG311N
FDG311N Elektroniska komponenter
FDG311N Försäljning
FDG311N Leverantör
FDG311N Distributör
FDG311N Datatabell
FDG311N Foton
FDG311N Pris
FDG311N Erbjudande
FDG311N Lägsta pris
FDG311N Sök
FDG311N Köp av
FDG311N Chip