Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDB5645

FDB5645

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Artikelnummer
FDB5645
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4468pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10212 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDB5645
FDB5645 Elektroniska komponenter
FDB5645 Försäljning
FDB5645 Leverantör
FDB5645 Distributör
FDB5645 Datatabell
FDB5645 Foton
FDB5645 Pris
FDB5645 Erbjudande
FDB5645 Lägsta pris
FDB5645 Sök
FDB5645 Köp av
FDB5645 Chip