Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDB52N20TM

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Artikelnummer
FDB52N20TM
Tillverkare/varumärke
Serier
UniFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK
Effektförlust (max)
357W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41395 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDB52N20TM
FDB52N20TM Elektroniska komponenter
FDB52N20TM Försäljning
FDB52N20TM Leverantör
FDB52N20TM Distributör
FDB52N20TM Datatabell
FDB52N20TM Foton
FDB52N20TM Pris
FDB52N20TM Erbjudande
FDB52N20TM Lägsta pris
FDB52N20TM Sök
FDB52N20TM Köp av
FDB52N20TM Chip