Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDB3632

FDB3632

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Artikelnummer
FDB3632
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK
Effektförlust (max)
310W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19321 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDB3632
FDB3632 Elektroniska komponenter
FDB3632 Försäljning
FDB3632 Leverantör
FDB3632 Distributör
FDB3632 Datatabell
FDB3632 Foton
FDB3632 Pris
FDB3632 Erbjudande
FDB3632 Lägsta pris
FDB3632 Sök
FDB3632 Köp av
FDB3632 Chip