Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDB33N25TM

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Artikelnummer
FDB33N25TM
Tillverkare/varumärke
Serier
UniFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK
Effektförlust (max)
235W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2135pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24979 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FDB33N25TM
FDB33N25TM Elektroniska komponenter
FDB33N25TM Försäljning
FDB33N25TM Leverantör
FDB33N25TM Distributör
FDB33N25TM Datatabell
FDB33N25TM Foton
FDB33N25TM Pris
FDB33N25TM Erbjudande
FDB33N25TM Lägsta pris
FDB33N25TM Sök
FDB33N25TM Köp av
FDB33N25TM Chip