PHB38N02LT,118
MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Artikelnummer
PHB38N02LT,118
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
57.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 5V
Vgs (max)
12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52658 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHB38N02LT,118
PHB38N02LT,118 Elektroniska komponenter
PHB38N02LT,118 Försäljning
PHB38N02LT,118 Leverantör
PHB38N02LT,118 Distributör
PHB38N02LT,118 Datatabell
PHB38N02LT,118 Foton
PHB38N02LT,118 Pris
PHB38N02LT,118 Erbjudande
PHB38N02LT,118 Lägsta pris
PHB38N02LT,118 Sök
PHB38N02LT,118 Köp av
PHB38N02LT,118 Chip