PHB32N06LT,118
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
Artikelnummer
PHB32N06LT,118
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
97W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1280pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 5V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19541 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHB32N06LT,118
PHB32N06LT,118 Elektroniska komponenter
PHB32N06LT,118 Försäljning
PHB32N06LT,118 Leverantör
PHB32N06LT,118 Distributör
PHB32N06LT,118 Datatabell
PHB32N06LT,118 Foton
PHB32N06LT,118 Pris
PHB32N06LT,118 Erbjudande
PHB32N06LT,118 Lägsta pris
PHB32N06LT,118 Sök
PHB32N06LT,118 Köp av
PHB32N06LT,118 Chip