PHB21N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Artikelnummer
PHB21N06LT,118
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
56W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49727 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHB21N06LT,118
PHB21N06LT,118 Elektroniska komponenter
PHB21N06LT,118 Försäljning
PHB21N06LT,118 Leverantör
PHB21N06LT,118 Distributör
PHB21N06LT,118 Datatabell
PHB21N06LT,118 Foton
PHB21N06LT,118 Pris
PHB21N06LT,118 Erbjudande
PHB21N06LT,118 Lägsta pris
PHB21N06LT,118 Sök
PHB21N06LT,118 Köp av
PHB21N06LT,118 Chip