PHB20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Artikelnummer
PHB20N06T,118
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
62W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
483pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21452 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av PHB20N06T,118
PHB20N06T,118 Elektroniska komponenter
PHB20N06T,118 Försäljning
PHB20N06T,118 Leverantör
PHB20N06T,118 Distributör
PHB20N06T,118 Datatabell
PHB20N06T,118 Foton
PHB20N06T,118 Pris
PHB20N06T,118 Erbjudande
PHB20N06T,118 Lägsta pris
PHB20N06T,118 Sök
PHB20N06T,118 Köp av
PHB20N06T,118 Chip