APT6M100K
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Artikelnummer
APT6M100K
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220 [K]
Effektförlust (max)
225W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1410pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37893 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT6M100K
APT6M100K Elektroniska komponenter
APT6M100K Försäljning
APT6M100K Leverantör
APT6M100K Distributör
APT6M100K Datatabell
APT6M100K Foton
APT6M100K Pris
APT6M100K Erbjudande
APT6M100K Lägsta pris
APT6M100K Sök
APT6M100K Köp av
APT6M100K Chip