APT6017B2LLG
MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Artikelnummer
APT6017B2LLG
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 7®
Sektionsstatus
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12504 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT6017B2LLG
APT6017B2LLG Elektroniska komponenter
APT6017B2LLG Försäljning
APT6017B2LLG Leverantör
APT6017B2LLG Distributör
APT6017B2LLG Datatabell
APT6017B2LLG Foton
APT6017B2LLG Pris
APT6017B2LLG Erbjudande
APT6017B2LLG Lägsta pris
APT6017B2LLG Sök
APT6017B2LLG Köp av
APT6017B2LLG Chip