APT6030BN
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Artikelnummer
APT6030BN
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS IV®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AD
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20464 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT6030BN
APT6030BN Elektroniska komponenter
APT6030BN Försäljning
APT6030BN Leverantör
APT6030BN Distributör
APT6030BN Datatabell
APT6030BN Foton
APT6030BN Pris
APT6030BN Erbjudande
APT6030BN Lägsta pris
APT6030BN Sök
APT6030BN Köp av
APT6030BN Chip