APT60M80L2VRG
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Artikelnummer
APT60M80L2VRG
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS V®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
264 MAX™ [L2]
Effektförlust (max)
833W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
590nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6439 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT60M80L2VRG
APT60M80L2VRG Elektroniska komponenter
APT60M80L2VRG Försäljning
APT60M80L2VRG Leverantör
APT60M80L2VRG Distributör
APT60M80L2VRG Datatabell
APT60M80L2VRG Foton
APT60M80L2VRG Pris
APT60M80L2VRG Erbjudande
APT60M80L2VRG Lägsta pris
APT60M80L2VRG Sök
APT60M80L2VRG Köp av
APT60M80L2VRG Chip