VMO580-02F
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Artikelnummer
VMO580-02F
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
Y3-Li
Leverantörsenhetspaket
Y3-Li
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
580A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2750nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45087 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av VMO580-02F
VMO580-02F Elektroniska komponenter
VMO580-02F Försäljning
VMO580-02F Leverantör
VMO580-02F Distributör
VMO580-02F Datatabell
VMO580-02F Foton
VMO580-02F Pris
VMO580-02F Erbjudande
VMO580-02F Lägsta pris
VMO580-02F Sök
VMO580-02F Köp av
VMO580-02F Chip