VMO550-01F
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Artikelnummer
VMO550-01F
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
Y3-DCB
Leverantörsenhetspaket
Y3-DCB
Effektförlust (max)
2200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
590A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 110mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2000nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
50000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27095 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av VMO550-01F
VMO550-01F Elektroniska komponenter
VMO550-01F Försäljning
VMO550-01F Leverantör
VMO550-01F Distributör
VMO550-01F Datatabell
VMO550-01F Foton
VMO550-01F Pris
VMO550-01F Erbjudande
VMO550-01F Lägsta pris
VMO550-01F Sök
VMO550-01F Köp av
VMO550-01F Chip