MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Artikelnummer
MMIX1F180N25T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
24-PowerSMD, 21 Leads
Leverantörsenhetspaket
24-SMPD
Effektförlust (max)
570W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
364nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
23800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40198 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MMIX1F180N25T
MMIX1F180N25T Elektroniska komponenter
MMIX1F180N25T Försäljning
MMIX1F180N25T Leverantör
MMIX1F180N25T Distributör
MMIX1F180N25T Datatabell
MMIX1F180N25T Foton
MMIX1F180N25T Pris
MMIX1F180N25T Erbjudande
MMIX1F180N25T Lägsta pris
MMIX1F180N25T Sök
MMIX1F180N25T Köp av
MMIX1F180N25T Chip