MMIX1F160N30T
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Artikelnummer
MMIX1F160N30T
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
24-PowerSMD, 21 Leads
Leverantörsenhetspaket
24-SMPD
Effektförlust (max)
570W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17464 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av MMIX1F160N30T
MMIX1F160N30T Elektroniska komponenter
MMIX1F160N30T Försäljning
MMIX1F160N30T Leverantör
MMIX1F160N30T Distributör
MMIX1F160N30T Datatabell
MMIX1F160N30T Foton
MMIX1F160N30T Pris
MMIX1F160N30T Erbjudande
MMIX1F160N30T Lägsta pris
MMIX1F160N30T Sök
MMIX1F160N30T Köp av
MMIX1F160N30T Chip