IXTY5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
Artikelnummer
IXTY5N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12455 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY5N50P
IXTY5N50P Elektroniska komponenter
IXTY5N50P Försäljning
IXTY5N50P Leverantör
IXTY5N50P Distributör
IXTY5N50P Datatabell
IXTY5N50P Foton
IXTY5N50P Pris
IXTY5N50P Erbjudande
IXTY5N50P Lägsta pris
IXTY5N50P Sök
IXTY5N50P Köp av
IXTY5N50P Chip