IXTY02N50D
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
Artikelnummer
IXTY02N50D
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9453 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY02N50D
IXTY02N50D Elektroniska komponenter
IXTY02N50D Försäljning
IXTY02N50D Leverantör
IXTY02N50D Distributör
IXTY02N50D Datatabell
IXTY02N50D Foton
IXTY02N50D Pris
IXTY02N50D Erbjudande
IXTY02N50D Lägsta pris
IXTY02N50D Sök
IXTY02N50D Köp av
IXTY02N50D Chip