IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Artikelnummer
IXTY01N100
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
54pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27872 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY01N100
IXTY01N100 Elektroniska komponenter
IXTY01N100 Försäljning
IXTY01N100 Leverantör
IXTY01N100 Distributör
IXTY01N100 Datatabell
IXTY01N100 Foton
IXTY01N100 Pris
IXTY01N100 Erbjudande
IXTY01N100 Lägsta pris
IXTY01N100 Sök
IXTY01N100 Köp av
IXTY01N100 Chip