IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Artikelnummer
IXTY1R6N100D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14305 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2 Elektroniska komponenter
IXTY1R6N100D2 Försäljning
IXTY1R6N100D2 Leverantör
IXTY1R6N100D2 Distributör
IXTY1R6N100D2 Datatabell
IXTY1R6N100D2 Foton
IXTY1R6N100D2 Pris
IXTY1R6N100D2 Erbjudande
IXTY1R6N100D2 Lägsta pris
IXTY1R6N100D2 Sök
IXTY1R6N100D2 Köp av
IXTY1R6N100D2 Chip