IXTY1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Artikelnummer
IXTY1R4N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54580 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P Elektroniska komponenter
IXTY1R4N60P Försäljning
IXTY1R4N60P Leverantör
IXTY1R4N60P Distributör
IXTY1R4N60P Datatabell
IXTY1R4N60P Foton
IXTY1R4N60P Pris
IXTY1R4N60P Erbjudande
IXTY1R4N60P Lägsta pris
IXTY1R4N60P Sök
IXTY1R4N60P Köp av
IXTY1R4N60P Chip