IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTY1R4N120PHV
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
86W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29110 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV Elektroniska komponenter
IXTY1R4N120PHV Försäljning
IXTY1R4N120PHV Leverantör
IXTY1R4N120PHV Distributör
IXTY1R4N120PHV Datatabell
IXTY1R4N120PHV Foton
IXTY1R4N120PHV Pris
IXTY1R4N120PHV Erbjudande
IXTY1R4N120PHV Lägsta pris
IXTY1R4N120PHV Sök
IXTY1R4N120PHV Köp av
IXTY1R4N120PHV Chip