IXTY10P15T
MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
Artikelnummer
IXTY10P15T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5817 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTY10P15T
IXTY10P15T Elektroniska komponenter
IXTY10P15T Försäljning
IXTY10P15T Leverantör
IXTY10P15T Distributör
IXTY10P15T Datatabell
IXTY10P15T Foton
IXTY10P15T Pris
IXTY10P15T Erbjudande
IXTY10P15T Lägsta pris
IXTY10P15T Sök
IXTY10P15T Köp av
IXTY10P15T Chip