Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTU5N50P

IXTU5N50P

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
Artikelnummer
IXTU5N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35119 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTU5N50P
IXTU5N50P Elektroniska komponenter
IXTU5N50P Försäljning
IXTU5N50P Leverantör
IXTU5N50P Distributör
IXTU5N50P Datatabell
IXTU5N50P Foton
IXTU5N50P Pris
IXTU5N50P Erbjudande
IXTU5N50P Lägsta pris
IXTU5N50P Sök
IXTU5N50P Köp av
IXTU5N50P Chip