Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTU01N100

IXTU01N100

MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
Artikelnummer
IXTU01N100
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
54pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5987 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTU01N100
IXTU01N100 Elektroniska komponenter
IXTU01N100 Försäljning
IXTU01N100 Leverantör
IXTU01N100 Distributör
IXTU01N100 Datatabell
IXTU01N100 Foton
IXTU01N100 Pris
IXTU01N100 Erbjudande
IXTU01N100 Lägsta pris
IXTU01N100 Sök
IXTU01N100 Köp av
IXTU01N100 Chip