IXTU01N80
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
Artikelnummer
IXTU01N80
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34182 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTU01N80
IXTU01N80 Elektroniska komponenter
IXTU01N80 Försäljning
IXTU01N80 Leverantör
IXTU01N80 Distributör
IXTU01N80 Datatabell
IXTU01N80 Foton
IXTU01N80 Pris
IXTU01N80 Erbjudande
IXTU01N80 Lägsta pris
IXTU01N80 Sök
IXTU01N80 Köp av
IXTU01N80 Chip