Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTQ102N20T

IXTQ102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Artikelnummer
IXTQ102N20T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
750W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54793 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTQ102N20T
IXTQ102N20T Elektroniska komponenter
IXTQ102N20T Försäljning
IXTQ102N20T Leverantör
IXTQ102N20T Distributör
IXTQ102N20T Datatabell
IXTQ102N20T Foton
IXTQ102N20T Pris
IXTQ102N20T Erbjudande
IXTQ102N20T Lägsta pris
IXTQ102N20T Sök
IXTQ102N20T Köp av
IXTQ102N20T Chip