Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTQ100N25P

IXTQ100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
Artikelnummer
IXTQ100N25P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3P
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28246 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTQ100N25P
IXTQ100N25P Elektroniska komponenter
IXTQ100N25P Försäljning
IXTQ100N25P Leverantör
IXTQ100N25P Distributör
IXTQ100N25P Datatabell
IXTQ100N25P Foton
IXTQ100N25P Pris
IXTQ100N25P Erbjudande
IXTQ100N25P Lägsta pris
IXTQ100N25P Sök
IXTQ100N25P Köp av
IXTQ100N25P Chip