IXTP36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
Artikelnummer
IXTP36N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5158 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP36N30P
IXTP36N30P Elektroniska komponenter
IXTP36N30P Försäljning
IXTP36N30P Leverantör
IXTP36N30P Distributör
IXTP36N30P Datatabell
IXTP36N30P Foton
IXTP36N30P Pris
IXTP36N30P Erbjudande
IXTP36N30P Lägsta pris
IXTP36N30P Sök
IXTP36N30P Köp av
IXTP36N30P Chip