IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
Artikelnummer
IXTP02N50D
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25563 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTP02N50D
IXTP02N50D Elektroniska komponenter
IXTP02N50D Försäljning
IXTP02N50D Leverantör
IXTP02N50D Distributör
IXTP02N50D Datatabell
IXTP02N50D Foton
IXTP02N50D Pris
IXTP02N50D Erbjudande
IXTP02N50D Lägsta pris
IXTP02N50D Sök
IXTP02N50D Köp av
IXTP02N50D Chip