IXTH96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
Artikelnummer
IXTH96N20P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42531 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH96N20P
IXTH96N20P Elektroniska komponenter
IXTH96N20P Försäljning
IXTH96N20P Leverantör
IXTH96N20P Distributör
IXTH96N20P Datatabell
IXTH96N20P Foton
IXTH96N20P Pris
IXTH96N20P Erbjudande
IXTH96N20P Lägsta pris
IXTH96N20P Sök
IXTH96N20P Köp av
IXTH96N20P Chip