IXTH102N20T
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
Artikelnummer
IXTH102N20T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
750W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16886 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH102N20T
IXTH102N20T Elektroniska komponenter
IXTH102N20T Försäljning
IXTH102N20T Leverantör
IXTH102N20T Distributör
IXTH102N20T Datatabell
IXTH102N20T Foton
IXTH102N20T Pris
IXTH102N20T Erbjudande
IXTH102N20T Lägsta pris
IXTH102N20T Sök
IXTH102N20T Köp av
IXTH102N20T Chip