IXTH06N220P3HV
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTH06N220P3HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
TO-247HV
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
2200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40740 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH06N220P3HV
IXTH06N220P3HV Elektroniska komponenter
IXTH06N220P3HV Försäljning
IXTH06N220P3HV Leverantör
IXTH06N220P3HV Distributör
IXTH06N220P3HV Datatabell
IXTH06N220P3HV Foton
IXTH06N220P3HV Pris
IXTH06N220P3HV Erbjudande
IXTH06N220P3HV Lägsta pris
IXTH06N220P3HV Sök
IXTH06N220P3HV Köp av
IXTH06N220P3HV Chip