IXTH8P50
MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
Artikelnummer
IXTH8P50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7431 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH8P50
IXTH8P50 Elektroniska komponenter
IXTH8P50 Försäljning
IXTH8P50 Leverantör
IXTH8P50 Distributör
IXTH8P50 Datatabell
IXTH8P50 Foton
IXTH8P50 Pris
IXTH8P50 Erbjudande
IXTH8P50 Lägsta pris
IXTH8P50 Sök
IXTH8P50 Köp av
IXTH8P50 Chip