IXTH80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
Artikelnummer
IXTH80N20L
Tillverkare/varumärke
Serier
Linear™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
520W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6160pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46744 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH80N20L
IXTH80N20L Elektroniska komponenter
IXTH80N20L Försäljning
IXTH80N20L Leverantör
IXTH80N20L Distributör
IXTH80N20L Datatabell
IXTH80N20L Foton
IXTH80N20L Pris
IXTH80N20L Erbjudande
IXTH80N20L Lägsta pris
IXTH80N20L Sök
IXTH80N20L Köp av
IXTH80N20L Chip