IXTH6N50D2
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Artikelnummer
IXTH6N50D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44981 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH6N50D2
IXTH6N50D2 Elektroniska komponenter
IXTH6N50D2 Försäljning
IXTH6N50D2 Leverantör
IXTH6N50D2 Distributör
IXTH6N50D2 Datatabell
IXTH6N50D2 Foton
IXTH6N50D2 Pris
IXTH6N50D2 Erbjudande
IXTH6N50D2 Lägsta pris
IXTH6N50D2 Sök
IXTH6N50D2 Köp av
IXTH6N50D2 Chip