IXTH6N150
MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
Artikelnummer
IXTH6N150
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
540W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26581 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH6N150
IXTH6N150 Elektroniska komponenter
IXTH6N150 Försäljning
IXTH6N150 Leverantör
IXTH6N150 Distributör
IXTH6N150 Datatabell
IXTH6N150 Foton
IXTH6N150 Pris
IXTH6N150 Erbjudande
IXTH6N150 Lägsta pris
IXTH6N150 Sök
IXTH6N150 Köp av
IXTH6N150 Chip