IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
Artikelnummer
IXTH64N10L2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
357W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18140 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH64N10L2
IXTH64N10L2 Elektroniska komponenter
IXTH64N10L2 Försäljning
IXTH64N10L2 Leverantör
IXTH64N10L2 Distributör
IXTH64N10L2 Datatabell
IXTH64N10L2 Foton
IXTH64N10L2 Pris
IXTH64N10L2 Erbjudande
IXTH64N10L2 Lägsta pris
IXTH64N10L2 Sök
IXTH64N10L2 Köp av
IXTH64N10L2 Chip